I ricercatori cinesi dell’Università di Pechino hanno sviluppato un transistor senza silicio utilizzando ossiseleniuro di bismuto e un’architettura gate-all-around. Offre prestazioni superiori del 40% e consumi energetici inferiori del 10% rispetto ai chip al silicio di Intel, segnando un potenziale cambiamento di paradigma nella tecnologia dei microprocessori.